#1 |
数量:706 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货,1-3个工作日送达. |
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#2 |
数量:780 |
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最小起订量:5 英国伦敦 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:785 |
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最小起订量:5 英国伦敦 当天发货,5-8个工作日送达. |
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规格书 |
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文档 |
Multiple Devices 13/Aug/2010 |
标准包装 | 800 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 100V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 61A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 16 mOhm @ 61A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 53nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 2880pF @ 25V |
功率 - 最大 | 150W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
供应商器件封装 | D²PAK |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
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